PMDT2010型IGBT单双脉冲测试台-【源头厂家 诚信经营】

PMDT2010型IGBT单双脉冲测试台特点

高电压达2000V（最大扩展至8kV）

大电流达2000A（可扩展至6000A）

低寄生电感设计：＜20nH寄生电感

安全防护机制：集成防爆、过流/过压保护

全功能测试覆盖：支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等参数

自动化与智能化，负载电感自动切换

温度范围广：可选高温模块(常温-200℃)或热流仪(-40℃-200℃)

兼容多种封装，可根据测试需求定制夹具

测试参数

开通特性：开通延时时间td(on)、开通上升时间tr、开通时间ton、开通能量损耗E(on)、开通电压斜率dv/dt、开通电流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig    vs.t

关断特性：关断延时时间td(off)、关断上升时间tf、关断时间toff、关断能量损耗E(off)、关断电压斜率dv/dt、  关断电流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig   vs.t

反向恢复特性：反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr、反向恢复能量Err、最大反向恢复电流Irrm、反向恢复电压斜率dv/dt、反向恢复电流斜率di/dt、反向恢复电流特性Id  vs.t

短路特性：短路时间Tsc、短路饱和电流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc      

栅极电荷：总栅极电荷Qg、阈值栅极电荷Qgs(th)、栅源电荷Qgs、栅漏电荷Qgd、栅极申荷曲线Vgs vs.t

反偏安全工作区：关断电压尖峰VCE—peak、关断电流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

测试夹具

针对市面上不同封装类型的功率半导体，如IGBT、SiC、MOS等产品，普赛斯提供整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试

PMDT2010型IGBT单双脉冲测试台是一款专用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的动态参数测试，能够安全便捷的测试功率器件的开关延时和损耗，评估器件的安全工作区，对器件和驱动电路的短路保护特性进行验证，测量功率组件的杂散电感。设备既可以用于功率器件选型评估，又可以用于驱动电路和功率母排的优化设计，能够帮助用户开发性能更优化、工作更可靠的电力电子功率平台。系统主要由双脉冲信号发生器，高分辨率示波器，高压电流探头，高压电源、母线电容、低杂感母排、自动化测试软件以及配套测试工装组成。系统配备多种测试驱动板，可覆盖开关参数测试、栅极电荷测试、短路测试、雪崩测试等，单次测试即可完成开关特性及反向恢复特性测试；具备数据管理功能，可实时保存测试结果及波形曲线，自动生成测试报告；详询一八一四零六六三四七六；

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